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Precision Coblation Plasma Surgery System for Thyroids Operations with Bipolar Forcep

Precision Coblation Plasma Surgery System for Thyroids Operations with Bipolar Forcep

ブランド名: Better
モデル番号: VF28E
MOQ: 68%
価格: 80-298USD
パッケージの詳細: 標準的なカートン
支払条件: L/C,T/T,
詳細情報
起源の場所:
中国
証明:
iso, Cfda
機能:
アブラション,切断,凝固,握り,剥離,固定,吸入
テクノロジー:
コブラレーション技術
適用する:
オープン手術,甲状腺,腫瘍,頭と首の腫瘍
スピード:
高速
汎用性:
高い多様性
パワー設定:
低い,中等,高い
電極材料:
ワルフスタン,チタン,ステンレス鋼
安全性:
高い
キーワード:
コブラーションプラズマ手術システム
安全性:
自動シャットダウン,過負荷保護
電極の種類:
標準 精密 微小
特徴:
軽い痛み
供給の能力:
1年ごとの100000セット
ハイライト:
rf アブラションシステム,rf アブラション装置,医療外科用器具,使い捨て外科用器具
製品の説明
Precision Coblation Plasma Surgery System for Thyroids Operations with Bipolar Forcep Summary: A plasma bipolar forcep includes a substrate having substantially the same properties as those of a substrate to be processed, a bottom electrode layer located over the substrate and electrically isolated therefrom, a dielectric layer positioned over the bottom electrode layer including apertures through which one or more electrodes of the bottom electrode layer are exposed, and at
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Precision Coblation Plasma Surgery System for Thyroids Operations with Bipolar Forcep

Precision Coblation Plasma Surgery System for Thyroids Operations with Bipolar Forcep

ブランド名: Better
モデル番号: VF28E
MOQ: 68%
価格: 80-298USD
パッケージの詳細: 標準的なカートン
支払条件: L/C,T/T,
詳細情報
起源の場所:
中国
ブランド名:
Better
証明:
iso, Cfda
モデル番号:
VF28E
機能:
アブラション,切断,凝固,握り,剥離,固定,吸入
テクノロジー:
コブラレーション技術
適用する:
オープン手術,甲状腺,腫瘍,頭と首の腫瘍
スピード:
高速
汎用性:
高い多様性
パワー設定:
低い,中等,高い
電極材料:
ワルフスタン,チタン,ステンレス鋼
安全性:
高い
キーワード:
コブラーションプラズマ手術システム
安全性:
自動シャットダウン,過負荷保護
電極の種類:
標準 精密 微小
特徴:
軽い痛み
最小注文数量:
68%
価格:
80-298USD
パッケージの詳細:
標準的なカートン
支払条件:
L/C,T/T,
供給の能力:
1年ごとの100000セット
ハイライト:
rf アブラションシステム,rf アブラション装置,医療外科用器具,使い捨て外科用器具
製品の説明
Precision Coblation Plasma Surgery System for Thyroids Operations with Bipolar Forcep Summary: A plasma bipolar forcep includes a substrate having substantially the same properties as those of a substrate to be processed, a bottom electrode layer located over the substrate and electrically isolated therefrom, a dielectric layer positioned over the bottom electrode layer including apertures through which one or more electrodes of the bottom electrode layer are exposed, and at